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2026 年 10 月 11 日
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TrendForce:四季度常规DRAM合约价预计环比涨10%至15%

一句话摘要

TrendForce报告显示,2026年第四季度常规DRAM合约价预计环比上涨10%至15%、NAND Flash上涨15%至20%;中国台湾厂商南亚科已通知客户再度上调DRAM合约价,最高涨幅达20%。

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调研机构TrendForce发布报告显示,2026年第四季度DRAM合约价格将延续上涨趋势,常规DRAM预计环比上涨10%至15%;NAND Flash合约价预计环比上涨15%至20%。

涨价情况

  • 南亚科被曝已通知客户再度上调 DRAM 合约价格,最高涨幅可达 20%,公司对此不予置评。
  • TrendForce 预计四季度常规 DRAM 合约价环比上涨 10% 至 15%。
  • NAND Flash 合约价预计环比上涨 15% 至 20%。

驱动因素

本轮涨价核心源于供需结构性失衡:AI算力建设拉动服务器DRAM与HBM需求走高,存储大厂产能向高利润的服务器存储产品倾斜,挤压消费级DRAM产能;叠加原厂保守扩产、行业库存低位,供给弹性不足。报告认为,内存成本压力短期难以缓解,后续新品定价预计继续抬升。

本文涉及的实体

企业
三
005930 · 半导体 · 半导体 — 存储芯片与消费电子

韩国三星集团旗下电子企业,全球主要存储芯片(DRAM、NAND、HBM)制造商与智能手机厂商。

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常见问题(FAQ)

四季度存储芯片合约价预期涨幅是多少?

TrendForce报告显示,2026年第四季度常规DRAM合约价预计环比上涨10%至15%,NAND Flash合约价预计环比上涨15%至20%。

本轮存储涨价的原因是什么?

报告认为,AI算力建设拉动服务器DRAM与HBM需求,存储大厂产能向服务器产品倾斜挤压消费级产能,叠加原厂保守扩产与低库存,导致供给弹性不足。

来源与说明

原始来源:TrendForce报告与快科技消息,ETime“芯资讯”(ICNET 网络整合)整理(2026年10月9日)。本文由编辑基于公开信息整理,不构成投资建议。

核验状态:来源可溯源(已标注原始来源并给出原文链接,采编记录完整)。编辑责任:金融知识图谱编辑部。发现事实错误或表述不当?提交纠错,核实后会在本文「更新记录」中留痕。

更新记录

2026-10-11 11:55 自动采集发布