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长鑫存储官宣4F²架构，新一代DDR5服务器内存年底推出
一句话摘要
长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，自研VSG晶体管的4F² DRAM架构公开专利族超300件，首代产品定为DDR5 RDIMM，预计2026年底推出，存储密度可提升30%至50%。
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长鑫科技（688825.SH）核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，介绍了名为4F²的DRAM架构进展，并宣布预计2026年底推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
关键技术指标
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 架构名称 | 4F² DRAM（行业主流为6F²） |
| 核心技术 | 自研VSG（Vertical Surrounded Gate）垂直包围沟道晶体管 |
| 密度提升 | 单位面积存储密度提升约30%至50% |
| 专利布局 | 4F²架构公开专利族超300件，数量行业领先 |
| 首代产品 | DDR5 RDIMM，面向服务器内存市场 |
| 推出时间 | 预计2026年底 |
市场含义
在服务器内存领域，海外存储厂商长期占据优势，长鑫此前下游偏重消费电子。将4F²架构首代产品定为DDR5 RDIMM，意味着长鑫选择直面服务器内存最高的技术与工程壁垒。业内人士认为，若4F²产品实现稳定量产，将有助于国产存储进入高端芯片市场。
企业
长
688825 · 电子设备 · 半导体-集成电路
DRAM产品的研发、设计、生产及销售
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同实体 / 同主题长鑫存储的4F²架构是什么？
4F²是DRAM存储单元架构，每个存储单元占4倍最小特征尺寸的平方，行业主流为6F²。长鑫采用自研VSG垂直包围沟道晶体管，可实现更强栅控、解决漏电与短沟道效应，存储密度提升约30%至50%。
长鑫的新一代DDR5产品何时推出？
长鑫存储总裁曹堪宇表示，预计2026年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品，面向服务器内存市场。
来源与说明
原始来源：第一财经记者报道，腾讯新闻转载（2026年10月10日）。本文由编辑基于公开信息整理，不构成投资建议。
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更新记录
2026-10-11 14:50 自动采集发布